无机化工论文_MPCVD法制备金刚石膜的工艺研究

文章摘要:采用3 kW/2450 MHz微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统，以单晶硅为基底材料，采用单因素实验法研究了微米级金刚石膜的生长工艺，分别探究了衬底温度、腔体压强和甲烷浓度对金刚石成膜过程的影响，获得了微米级金刚石膜的最优生长工艺。结果表明：金刚石膜的生长速率与衬底温度、腔体压强、甲烷浓度呈正相关；衬底温度和腔体压强对金刚石膜质量的影响存在最佳的临界值，提高甲烷浓度不利于形成金刚石相。经单因素实验确定金刚石膜生长的最佳工艺参数为：功率2200 W，衬底温度850 ℃，腔体压强14 kPa，甲烷和氢气的相对浓度为2.5%，金刚石膜生长速率为1.706 μm/h，金刚石相含量为87.92%。

文章关键词:金刚石膜,微波等离子体化学气相沉积,制备工艺,

论文作者:冯曙光² 杨黎² 

作者单位:2. 昆明理工大学冶金与能源工程学院 3. 云南民族大学化学与环境学院 

论文分类号: TQ163;TB383.2

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